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BY251 GEG Si-Diode Gl 200V 3A 31a
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STW70N60M2 N-Ch+Z-Dio 600V 68A 450W 0,04R TO247 16C
[12747060]		 € 11,35
[inkl. 20% MwSt zzgl. Versandkosten]

ST MICROELECTRONICS (STM) Leistungs-MOSFETs

Serie: STW_    Gehäuse: TO247


Artikel
UDS
 ID25
 RDS(on)
 UGS(th)
 td(on)
 td(off)
  [V]
 [A]
 W
 [V]
 [ns]
 [ns]
STW4N150 1500
 4
 7,000
 3,0
 35
 45
STW6N120K3 1200
 6
 2,400
 3,0
 30
 58
STW9N150 1500
 8
 2,500
 3,0
 41
 86







STW12NK90Z 900
 11
 0,880
 3,0
 31
 88
STW13NK60Z 600
 13
 0,550
 3,0
 22
 61
STW13NK100Z 1000
 13
 0,700
 3,0
 45
 145







STW20N95K5 950
 17,5
 0,330
 3,0
 17
 70
STW20NK50Z 500
 17
 0,270
 3,0
 28
 70














STW26NM60N 600
 20
 0,165
 2,0
 13
 85
STW28NM50N 500
 21
 0,158
 2,0
 13,6
 62
STW32NM50N 500
 22
 0,130
 2,0
 21,5
 110
STW34N65M5 650
 28
 0,110
 3,0
 -
 -
STW36N55M5 550
 33
 0,080
 3,0
 -
 -







STW42N65M5 650
 33
 0,079
 3,0
 61
 65





















STW70N60M2 600
 68
 0,040
 2,0
 32
 155
STW75NF30 300
 60
 0,045
 2,0
 115
 141














UDS = Max. Drain-Source Voltage, ID25 = Max. Continuous Drain Current At TC = 25°C, RDS(on) = Max. Drain-Source On-Resistance, UGS(th) = Min. Gate Threshold Voltage, td(on) = Turn-On Delay Time, td(off) = Turn-Off Delay Time, TC = Case Temperature
Für weitere Informationen, besuchen Sie bitte die Homepage zu diesem Produkt.
Dieses Produkt haben wir am Dienstag, 03. September 2019 in unseren Katalog aufgenommen.
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