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ZD 0,5 W 10 V GEG
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Z-Dioden 0,5W gegurtet

Serie: BZX55B_ oder ähnliche Gehäuse: DO35

Z-Diode 0,5W 10V DO35

BZX55B10 A0G : Taiwan Semiconductor


Artikel	U_Z	Z_ZT	I_ZT	I_R	@	U_R	I_ZM	P_tot
	[V]	[Ohm]	[mA]	[µA]		[V]	[mA]	[W]
BZX55B2V7	2,65-2,75	85	5,0	10		1,0	-	0,5
BZX55B3V3	3,23-3,37	85	5,0	2,0		1,0	-	0,5
BZX55B3V6	3,53-3,67	85	5,0	2,0		1,0	-	0,5
BZX55B4V3	4,21-4,39	75	5,0	1,0		1,0	-	0,5
BZX55B4V7	4,61-4,79	60	5,0	0,5		1,0	-	0,5
BZX55B5V1	5,00-5,20	35	5,0	0,1		1,0	-	0,5
BZX55B5V6	5,49-5,71	25	5,0	0,1		1,0	-	0,5
BZX55B6V8	6,66-6,94	8	5,0	0,1		3,0	-	0,5
BZX55B7V5	7,35-7,65	7	5,0	0,1		5,0	-	0,5
BZX55B8V2	8,04-8,36	7	5,0	0,1		6,2	-	0,5
BZX55B10	9,80-10,20	15	5,0	0,1		7,5	-	0,5
BZX55B12	11,76-12,24	20	5,0	0,1		9,1	-	0,5
BZX55B15	14,70-15,30	30	5,0	0,1		11	-	0,5
BZX55B18	17,64-18,36	50	5,0	0,1		14	-	0,5
BZX55B20	19,60-20,40	55	5,0	0,1		15	-	0,5
BZX55B24	23,52-24,48	80	5,0	0,1		18	-	0,5
BZX55B27	26,46-27,54	80	5,0	0,1		20	-	0,5
U_Z = Zener Voltage Range at I_ZT, Z_ZT = Max. Zener Impedance at I_ZT, I_ZT = Test Current, I_R = Max. Reverse Current, U_R = Reverse Voltage, I_ZM = Max. Zener Current, P_tot = Power Dissipation

• nur 2% Toleranz U_Z
• Lötbarkeit, max 260°C/10s

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Dieses Produkt haben wir am Donnerstag, 01. Januar 1970 in unseren Katalog aufgenommen.

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